A Samsung Electronics passou com sucesso nos rigorosos testes da Nvidia para seus chips de memória HBM3E de 8 camadas, posicionando-se como um fornecedor importante para a indústria de chips de IA em rápido crescimento. HBM, ou High Bandwidth Memory, é um tipo especializado de DRAM projetado para lidar com grandes quantidades de dados em velocidades relâmpago. É um componente crucial para alimentar os cálculos complexos necessários para aplicações de inteligência artificial. O HBM3E, a iteração mais recente, oferece desempenho e eficiência energética ainda maiores que o HBM3.

Garantir a aprovação da Nvidia foi um obstáculo para a Samsung, que já havia enfrentado desafios relacionados ao consumo de calor e energia em seus chips HBM. Desde então, a empresa abordou essas questões para atender aos padrões da Nvidia, à medida que os aplicativos de IA se tornam mais exigentes. A Samsung, juntamente com empresas como SK Hynix e Micron, está correndo para atender a essa demanda.

Embora os chips HBM3E de 12 camadas da Samsung ainda estejam em avaliação, a aprovação da versão de 8 camadas é um avanço para a empresa de qualquer maneira. A Nvidia também liberou recentemente os chips de memória de alta largura de banda de quarta geração da Samsung, HBM3, pela primeira vez. No entanto, a Reuters afirmou anteriormente que os chips provavelmente serão usados ​​apenas em placas gráficas Nvidia específicas da China.