Samsung Electronics ha superado con éxito las rigurosas pruebas de Nvidia para sus chips de memoria HBM3E de 8 capas, posicionándose como un proveedor clave para la industria de chips de IA en rápido crecimiento. HBM, o High Bandwidth Memory, es un tipo especializado de DRAM diseñado para manejar cantidades masivas de datos a la velocidad del rayo. Es un componente crucial para impulsar los complejos cálculos necesarios para las aplicaciones de inteligencia artificial. HBM3E, la última versión, ofrece un rendimiento y una eficiencia energética aún mayores que el HBM3.

Conseguir la aprobación de Nvidia fue un obstáculo para Samsung, que anteriormente había enfrentado desafíos relacionados con el consumo de calor y energía en sus chips HBM. Desde entonces, la empresa ha abordado estos problemas para cumplir con los estándares de Nvidia, a medida que las aplicaciones de IA se vuelven más exigentes. Samsung, junto con empresas como SK Hynix y Micron, está compitiendo para satisfacer esta demanda.

Si bien los chips HBM3E de 12 capas de Samsung aún están bajo evaluación, la aprobación de la versión de 8 capas es un paso adelante para la compañía de todos modos. Nvidia también aprobó recientemente por primera vez los chips de memoria de alto ancho de banda de cuarta generación de Samsung, HBM3. Sin embargo, Reuters declaró anteriormente que los chips probablemente solo se usarán en tarjetas gráficas Nvidia específicas de China.