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Die 8-Schicht-HBM3E-Chips von Samsung überwinden Hitze- und Stromhürden und sichern sich die Zulassung von Nvidia

Veröffentlicht am 23.08.2024
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Samsung\'s 8-layer HBM3E chips overcome heat and power hurdles to secure Nvidia\'s approval

Samsung Electronics hat die strengen Tests von Nvidia für seine 8-schichtigen HBM3E-Speicherchips erfolgreich bestanden und positioniert sich damit als wichtiger Lieferant für die schnell wachsende KI-Chip-Industrie. HBM (High Bandwidth Memory) ist ein spezieller DRAM-Typ, der für die blitzschnelle Verarbeitung riesiger Datenmengen entwickelt wurde. Es ist eine entscheidende Komponente für die komplexen Berechnungen, die für Anwendungen der künstlichen Intelligenz erforderlich sind. HBM3E, die neueste Version, bietet eine noch höhere Leistung und Energieeffizienz als HBM3.

Die Erlangung der Genehmigung von Nvidia war eine Hürde für Samsung, das zuvor mit Herausforderungen im Zusammenhang mit dem Wärme- und Stromverbrauch seiner HBM-Chips konfrontiert war. Seitdem hat sich das Unternehmen mit diesen Problemen befasst, um die Standards von Nvidia zu erfüllen, da KI-Anwendungen immer anspruchsvoller werden. Samsung kämpft zusammen mit Unternehmen wie SK Hynix und Micron darum, dieser Nachfrage gerecht zu werden.

Während sich Samsungs 12-Layer-HBM3E-Chips noch in der Evaluierung befinden, ist die Zulassung der 8-Layer-Version für das Unternehmen auf jeden Fall ein Fortschritt. Nvidia hat kürzlich auch erstmals die Freigabe für Samsungs High-Bandbreite-Speicherchips der vierten Generation, HBM3, erteilt. Reuters gab jedoch zuvor an, dass die Chips wahrscheinlich nur in China-spezifischen Nvidia-Grafikkarten verwendet werden.

Samsung\'s 8-layer HBM3E chips overcome heat and power hurdles to secure Nvidia\'s approval

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